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全國(guó)服務(wù)熱線：
400-0760-168
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20PIN，超高速32位總線1T 8051內(nèi)核Flash MCU，512B SRAM，8KB Flash，128B獨(dú)立EEPROM，12位ADC，3路8+2位PWM，3個(gè)定時(shí)器，UART，SPI，PGA
工作電壓: 2.4V~5.5V
工作溫度: -40 ~ 85℃
封裝: SOP20
內(nèi)核: 超快速的32位總線1T 8051
Flash ROM: 8KB Flash ROM(MOVC禁止尋址0000H~00FFH)可重復(fù)寫入1萬(wàn)次； 可選8KB范圍內(nèi)IAP 模式，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程上網(wǎng)程序更新。
EEPROM：獨(dú)立的128Byte，可重復(fù)寫入10萬(wàn)次；
SRAM：512Byte SRAM
系統(tǒng)時(shí)鐘: 內(nèi)建高頻 24MHz 振蕩器
l IC工作的系統(tǒng)時(shí)鐘,可通過(guò)編程器選擇設(shè)定為24MHz(3.7-5.5V)、12/6/2MHz (2.4-5.5V)
l 頻率誤差: 跨越 (2.4V~5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 應(yīng)用環(huán)境, 不超過(guò) ±1%。
l 內(nèi)置晶體振蕩器電路，可外接2~16MHz振蕩器。
l 振蕩器偵測(cè)電路，當(dāng)發(fā)現(xiàn)外部振蕩器停振后自動(dòng)切到內(nèi)部高頻HRC振蕩器，直至下次復(fù)位時(shí)再重置
內(nèi)建低頻 128kHz LRC 振蕩器
l 頻率誤差: 跨越 (2.4V ~ 5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 應(yīng)用環(huán)境,頻率誤差不超過(guò)±3%
內(nèi)建2kHz 振蕩器
l 用作WDT的CLK Source
低電壓復(fù)位(LVR):
l 復(fù)位電壓有2級(jí)可選：分別是3.7V、2.3V
l 缺省值為用戶燒寫Code Option所選值
Flash燒寫和仿真:
l 2線JTAG燒寫和仿真接口
中斷(INT):
l Timer0, Timer1, Timer2, INT0~1, ADC，PWM，UART，SPI，Base Timer 共10 個(gè)中斷源
l 外部中斷有2個(gè)中斷向量，全部可設(shè)上升沿、下降沿、雙沿中斷
l 兩級(jí)中斷優(yōu)先級(jí)可設(shè)
數(shù)字外圍：
l 18個(gè)雙向可獨(dú)立控制的 I/O口，可獨(dú)立設(shè)定上拉電阻
l 全部IO具有大灌電流驅(qū)動(dòng)能力(70mA)
l 11位WDT，可選時(shí)鐘分頻比
l 3個(gè)標(biāo)準(zhǔn) 80C51 定時(shí)器Timer0、Timer1和Timer2
l Timer2可實(shí)現(xiàn)Capture功能及輸出16位PWM
l 3路共用周期、單獨(dú)可調(diào)占空比的 8+2位PWM，分別可切換至不同管腳輸出(共6個(gè)輸出)
l 5個(gè)IO可作為1/2 BIAS的LCD COM輸出
l 1路UART
l 1路SPI
模擬外圍：
l 1個(gè)可調(diào)增益運(yùn)算放大器PGA
n 輸出可直接接ADC輸入
n 正負(fù)輸入端可互換
n 增益兩級(jí)可選： 20X、100X
n 可軟件調(diào)零
l 10路12位±2LSB ADC
n 內(nèi)建基準(zhǔn)的 2.4V 參考電壓
n ADC的參考電壓有2種選擇, 分別是 VDD和內(nèi)部2.4V
n 內(nèi)部一路ADC可直接測(cè)量VDD電壓
n 可設(shè)ADC轉(zhuǎn)換完成中斷
省電模式：
l IDLE Mode，可由任何中斷喚醒
l STOP Mode，可由 INT0~1和BaseTimer喚醒
